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以下图为例展示米勒寄生导通产生的原因：在上管的开通时刻，下管关断，DS间电压上升，产生电压变化率dv/dt，dv/dt通过(Cgd)米勒电容向栅极注入电流。米勒电流跨越整体栅极路径使得下管栅极上出现电压尖峰。如果下管Vgs尖峰超过器件的Vgs(th)，则可能会发生半桥直通现象。低阈值电压的功率器件，如SiCMOSFET，更有可能受到此影响损坏。如下图5。更多米勒效应的解释及应对方法可参考：米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策 1ED34X1系列集成米勒钳位功能。钳位方式分为两种。一种是直接钳位，例如1ED3431，即直接把clamppin接到IGBT的门极。这种情况下钳位电流的典型值是2A，适用于100A以下的IGBT。 另一种方式是在clamppin外接一个N-MOSFET，来扩展钳位电流，以适应更大电流IGBT的需求。例如1ED3461及1ED3491。根据外接NMOS型号的不同，钳位电流最大可扩展到20A。 驱动板2SID-1ED3X-62MM-1206D0在做SiCMOSFET双脉冲测试时，首先没有外接米勒钳位MOS，米勒效应引起了明显的门极电压过冲，如图6.1-2中CH1黄色通道红圈部分，Vgs尖峰2.08V，△V=5.58V。然后将1ED3491CLAMPDRV脚外接5.4AMOS（PMV45EN），米勒钳位功能起到了立竿见影的效果，如图7.1-2中CH1黄色通道红圈部分，Vgs尖峰降为-1.26V，△v只有2.24V。 1ED34X1(clampdriver)Desat保护时间、软关断时间精确可调 由于SiCMOSFET器件短路耐受时间相对较短，CoolSiC™MOSFETEasy封装模块在+15V驱动供电时，数据手册标称短路时间只有2us例如：FF17MR12W1M1H_B11。而62mm封装的CoolSiC™模块虽然没有标称短路时间，但仍然有一定的短路能力，这里我们使用62mm封装的模块来验证1ED3491的短路保护功能。 1ED34X1具有退饱和保护功能。以往短路保护消隐时间需要通过外接电容来实现，而1ED34X1系列则不需要外接电容，它通过ADJB引脚连接不同阻值的电阻可设置不同的消隐时间，共有16档可调，DESAT滤波时间tDESATfilter:1.6µs至4.0µs，Leadingedge消隐时间tDESATleb:0.65µs至1.15µs。1ED34x1还具有在故障情况下软关断的功能。在器件出现过流故障的情况下，驱动芯片将会使用较低的电流关断IGBT，将会减慢IGBT的di/dt，避免出现过高的电压尖峰损坏IGBT。软关断的参数通过ADJA连接的电阻可调。系列中每一款芯片都有16档关断电流。 图8为当ADJA下拉电阻=10K、ADJB下拉电阻=100K的SiC短路波形，此时短路保护时间为1us，软关断时间为1.23us，能够满足SiCMOSFET2us短路时间的苛刻要求。
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